物料推選CMSA070N10
物料推選CMSA070N10
CMSA070N10是一款高性能N溝道功率場效應(yīng)管（MOSFET），采用Cmos先進(jìn)的SGT工藝制成，具有高頻特性好，轉(zhuǎn)換效率高的特點(diǎn)。適用于開關(guān)電源、電動車控制、戶外照明、逆變器以及UPS等大功率、高效率、低能耗的應(yīng)用場景。
一、封裝形式
下圖是CMSA070N10封裝形式和內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。采用DFN-8 5*6封裝形式，特點(diǎn)是體積小又兼具優(yōu)秀的散熱性。
二、基礎(chǔ)參數(shù)
1. 漏源電壓(VDS)：100
2. 連續(xù)漏極電流（ID）：90A（需結(jié)合散熱條件）
3. 導(dǎo)通電阻RDS(on)：6.2mΩ（典型值）
4. 柵源閾值電壓VGS(th)：3V（最大值）
三、核心優(yōu)勢
CMSA070N10具有明顯的以下適配性優(yōu)勢
高效率，理想的優(yōu)值系數(shù)FOM = QG×RDS(on)，靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)時具有很高的電能轉(zhuǎn)換效率，同時動態(tài)開關(guān)切換時又兼具理想的開關(guān)損耗。
高頻性，低極間電容Ciss/Crss，實(shí)現(xiàn)了MOSFET在開關(guān)動態(tài)切換只需更短的時間。
低RSP，RSP場效應(yīng)管的單位面積導(dǎo)通電阻，是衡量器件導(dǎo)通性能的關(guān)鍵參數(shù)。實(shí)際電路中，由于電路中的漏感、分布電感分布以及開關(guān)瞬態(tài)較大du/dt或di/dt變化，電路的這些固有特點(diǎn)和狀態(tài)通常會綜合產(chǎn)生高密度功率性，低單位面積導(dǎo)通電阻使管子可以輕松抵抗這種突變場景，且表現(xiàn)出波形不失真，穩(wěn)定性高等特點(diǎn)。這個特點(diǎn)在容性負(fù)載和感性負(fù)載應(yīng)用場景中極為重要。
小型化封裝，采用DFN封裝，物料本體體積被減小，適合適用于便攜式移動性強(qiáng)或設(shè)備空間體積受限的設(shè)備
四、應(yīng)用推薦
CMSA070N10有著諸多優(yōu)秀的電性特征參數(shù)，實(shí)際應(yīng)用表現(xiàn)在其多場景多設(shè)備高適配性方面，以下是其推薦使用場景。
大電流功率開關(guān)
應(yīng)用場景：DC-DC 同步整流、DC-AC Converter、MOTO Driver(BLDC)等。
優(yōu)勢：
這些應(yīng)用場景有較高的切換速率和占空比要求，綜合選擇MOSFET開關(guān)和導(dǎo)通特性均要兼顧。先進(jìn)的SGT工藝，加上Cmos嚴(yán)苛的后道鍵合品控，極大地提高了動態(tài)和靜態(tài)下能效比。
優(yōu)化散熱分布，提升系統(tǒng)可靠性。
集成化功率模塊
應(yīng)用場景：電源模塊（如DC-DC轉(zhuǎn)換器）、SOC芯片集成。
優(yōu)勢：
CMSA070N10 Product Data Sheet
五、應(yīng)用推薦及原理
應(yīng)用推薦
示例1 ：
Picture 1
應(yīng)用：為24VDC-DC Converter
1. 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：
輸入電壓：24V DC Secondary-side Synchronous Rectifier
輸出電壓：24V/20A
開關(guān)頻率：200kHz
2. MOSFET 配置：
上管（ON/OFF control switch）：CMSA070N10
下管（continue current ）：同型號或降低MOSFET參數(shù)（具體視負(fù)載功率大小而定）。
3. 驅(qū)動電路：
使用半橋結(jié)構(gòu)或者推換結(jié)構(gòu)驅(qū)動IC(如TI-LM339)，提供 12V 驅(qū)動電壓。
柵極串聯(lián) 電阻RG（10Ω、1/4W）抑制振蕩。
4.效率優(yōu)化：
上管利用低 RDS(on) 特性減少導(dǎo)通損耗，下管特點(diǎn)是高頻性切換。
優(yōu)化PCB布局，降低高電流路徑的走線電阻如增加線寬，盡可能地縮短導(dǎo)線距離。
示例2：
Picture 2、直流無刷電機(jī)控制
應(yīng)用：高速風(fēng)機(jī)控制方案
MOSFET 配置:CMSA070N10
示例3：
Picture 3、汽車大燈
應(yīng)用：汽車Head Led Lamp
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：
MOSFET 配置：Booster Circurt CMSA070N10
六、應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)
1. 柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)
驅(qū)動電壓（VGS>VGSth）：多源極意味著可以共用一個驅(qū)動邏輯，同步驅(qū)動時防止導(dǎo)通延遲差異。建議 12V左右（確保完全導(dǎo)通，降低 RDS(on)）。
驅(qū)動電流：需快速充放電柵極電容（Ciss=2050pf），使用驅(qū)動能力較強(qiáng)的 IC（如IR2110、 LM339）。避免過壓：VGS≤±20V（防止擊穿柵極氧化物層）。
2. 開關(guān)速度優(yōu)化
減少寄生電感：縮短柵極驅(qū)動回路，使用低阻抗 PCB 布局。
RC 緩沖電路：在漏源極并聯(lián) RC 吸收電路（如 10Ω + 1nF），抑制電壓尖峰。
死區(qū)時間：在橋式電路中設(shè)置合理死區(qū)，避免上下管直通。
3. 保護(hù)措施
過壓保護(hù)：漏源極并聯(lián) TVS 二極管。
過流保護(hù)：通過電流采樣電阻 + 比較器實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷。
ESD 防護(hù)：避免人體靜電直接接觸引腳，焊接時使用防靜電設(shè)備。
七、應(yīng)用注意事項(xiàng)
避免雪崩擊穿：確保VDS不超過100V，尤其在感性負(fù)載（如電機(jī)）容性負(fù)載（LED燈）中需設(shè)計(jì)續(xù)流路徑。
并聯(lián)使用：若需更高電流，需匹配 MOSFET并聯(lián)均流（如柵極電阻一致）。
測試驗(yàn)證：實(shí)際測試開關(guān)波形（如VGS、 VDS、ID），確保無過沖或振蕩。
通過合理設(shè)計(jì)，CMSA070N10可顯著提升高功率系統(tǒng)的效率和可靠性。建議結(jié)合具體應(yīng)用場景參考官方數(shù)據(jù)手冊進(jìn)行詳細(xì)計(jì)算和仿真。
通過以上場景分析，用戶可根據(jù)具體需求（如高頻、大電流、高精度等）選擇該封裝類型場效應(yīng)管，優(yōu)化電路性能并降低成本。
總結(jié)
CMSA070N10是一款性能強(qiáng)大的MOSFET,具有高功率、高效率，優(yōu)秀的熱管理能力和高性價比等優(yōu)勢，如果您正在設(shè)計(jì)一款上述電路或類同應(yīng)用，建議選配該物料一試。
技術(shù)支持與資源獲取
更多型號資料請聯(lián)系在線客服或登錄Cmos官網(wǎng)m.habboqueen.com，可索取樣品和報(bào)價以及提供相關(guān)技術(shù)支持服務(wù)。
