CMD603 MOSFET：橋型電路應(yīng)用的理想選擇
CMD603 MOSFET：橋型電路應(yīng)用的理想選擇
MOSFET 作為現(xiàn)代電力電子電路中最重要的核心半導(dǎo)體器件之一，每一種相關(guān)電路的拓?fù)涠己幸粋€(gè)或者多個(gè) MOSFET 器件。MOSFET 器件的設(shè)計(jì)與性能影響著電路網(wǎng)絡(luò)整體的性能、效率、穩(wěn)定性與可靠性。MOSFET 開關(guān)性器件對(duì)于控制網(wǎng)絡(luò)的電磁相容（EMC）也起著至關(guān)重要的作用。尤其像開關(guān)電源中 MOSFET 經(jīng)常工作在高頻狀態(tài)(一般開關(guān)電源的工作頻率為 40KHZ~100KHZ)，因此 MOSFET 對(duì)于電磁相容中的輻射 EMI 往往產(chǎn)生重要的影響。
CMD603 MOSFET 是廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司推出一款 N+P 集成的雙芯 CMOS 產(chǎn)品，客戶應(yīng)用在橋型電路網(wǎng)絡(luò)中，表現(xiàn)出優(yōu)秀的散熱性和卓越抗干擾能力。
封裝形式
CMD603 MOSFET 采用 N MOS 管+P MOS 管雙芯集成 TO-252-4L 封裝形式。
封裝形式及內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：
三相全橋控制驅(qū)動(dòng)馬達(dá)控制網(wǎng)絡(luò)
若適當(dāng)增大器件的開通時(shí)間，即可在很大程度上減小振蕩幅值，一般技術(shù)方案會(huì)考慮在驅(qū)動(dòng)芯片與 MOSFET 柵極間加設(shè)緩沖電路，即人為串接驅(qū)動(dòng)電阻，在 MOSFET 柵源極間并聯(lián)電容以延長柵極電容的充電時(shí)間，降低電壓變化率。Cmos 公司另辟蹊徑，從輕量化電路著手，經(jīng)過專業(yè)團(tuán)隊(duì)驗(yàn)證，研發(fā)給出自己特有的解決方案，長期堅(jiān)持推出多款雙芯 MOSFET，實(shí)踐證明，這種方案，不僅在理論上可行，而且在實(shí)際應(yīng)用網(wǎng)絡(luò)中能起到優(yōu)化外圍臃腫的驅(qū)動(dòng)電路網(wǎng)絡(luò)作用。
雙芯獨(dú)特的電氣特性
極低的開啟電壓：CMD603 MOSFET，N 管和 P 管的開啟電動(dòng)勢 VGS（th）都不超過 2.5V，這將會(huì)使得驅(qū)動(dòng)電路變得簡便。VGS（th）越高，MOS 管米勒平臺(tái)就越高，開啟越慢。直接反應(yīng)在 MOSFET 的開啟電壓上，MOSFET 實(shí)際工作時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓必須大于平臺(tái)電壓，如果柵極驅(qū)動(dòng)電壓長期工作在平臺(tái)附近，會(huì)導(dǎo)致器件不能完全打開，內(nèi)阻急劇上升，從而器件產(chǎn)生相應(yīng)的熱失效現(xiàn)象，這一條建議希望廣大用戶在使用時(shí)要特別注意。
理想的柵極電荷總量 Qg：Qg 是 MOS 柵極開啟時(shí)所必要的電荷量，影響著 MOS 的切換速度以及與時(shí)間相關(guān)聯(lián)的參數(shù)。CMD603 CMOSFET Qg=16nC，控制在相對(duì)低的水平，意味著 CMD603 CMOSFET 開關(guān)速度更快，相應(yīng)的開關(guān)損耗更小，MOS 效率越高，溫升越低。CMD603 CMOSFET，在 VGS=10V 條件下，N 管的柵極電荷量 Qg=8NC，P 管的柵極電荷量為16 NC，N 管和 P 管電荷量的這種倍數(shù)級(jí)別差異，使得在橋式電路應(yīng)用中表現(xiàn)出卓越性能。
較低的電容參數(shù)：
MOSFET 的開啟和關(guān)斷時(shí)間主要受自身電容影響。所以，在特定的電路中合理的電容參數(shù)對(duì)器件的穩(wěn)定性非常關(guān)鍵。
CMD603 CMOSFET 輸入電容 Ciss=1550Pf，當(dāng)輸入電容充電至閾值電壓時(shí)器件才能開啟，放電至一定值時(shí)器件才可以關(guān)斷。因此驅(qū)動(dòng)電路和 Ciss 對(duì) MOS 器件的開啟和關(guān)斷延時(shí)有著直接的影響。輸出電容 Coss=68Pf，Coss 對(duì)于軟開關(guān)的應(yīng)用非常重要，因?yàn)樗赡芤痣娐返闹C振。而 MOS 管軟開關(guān)主要應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路和充電器電路等。
反向傳輸電容 Crss=49pF，反向傳輸電容等同于柵漏電容，即 Crss=Cgd，反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對(duì)于開關(guān)的上升和下降時(shí)間來說是其中一個(gè)重要的參數(shù)，它還影響著關(guān)斷延時(shí)時(shí)間。電容隨著漏源電壓的增加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。
CMD603 CMOSFET Ciss、Coss、Crss 三項(xiàng)電容參數(shù)都控制在理想的較低值，使該料在橋型電路中表現(xiàn)出卓越的特性。
不同的 MOSFET 產(chǎn)品，根據(jù)其制造的工藝的差異性，參數(shù)表現(xiàn)會(huì)有所不同，在具體的應(yīng)用環(huán)境中表現(xiàn)出的性能也不一樣。CMD603 CMOSFET 在橋型控制電路中表現(xiàn)效果理想，值得推薦。當(dāng)然 CMD603 適用環(huán)境不僅限于此，客戶用在 LED 燈控，汽車電子，驅(qū)動(dòng)板中表現(xiàn)出優(yōu)良的性能。關(guān)于 CMD603 其它參數(shù)，請(qǐng)注冊和登錄廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) m.habboqueen.com 自行下載。
