CMD3090L：與“深”夜共舞
CMD3090L：與“深”夜共舞
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夜幕降臨，華燈璀璨，摩天高樓宛如身披炫彩鎧甲，遙相呼應(yīng)。這是深圳這座科技之都的底色與魅力。相信每一個(gè)來(lái)過(guò)深圳的人都會(huì)被這光彩奪目，目不暇接。LED燈光控制的靈活使用，使深圳的夜色煥發(fā)活力。而這絢麗背后是諸多像廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）一樣的半導(dǎo)體研發(fā)與制造單位的持續(xù)奮進(jìn)。
Cmos長(zhǎng)期堅(jiān)持自主創(chuàng)新，品質(zhì)至上，服務(wù)并進(jìn)之舉措，多款產(chǎn)品經(jīng)受住了市場(chǎng)檢驗(yàn)。產(chǎn)品在客戶使用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，相同應(yīng)用環(huán)境下，器件性能可比肩國(guó)外大廠。
在LED燈控制領(lǐng)域，Cmos更是推陳出新，推出了以CMD3090L/CMP90N68K為代表兩款不同輸出功率的LED燈控制MOSFET產(chǎn)品，使得深圳夜色更加炫麗異彩。
封裝形式
卓越的電氣特性
CMD3090L主要電氣特性包括：
耐壓與電流能力：CMD3090LMOSFE的耐壓（BVDSS）為30V，在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)90A。這使得MOSFET擁有大電流和同應(yīng)用環(huán)境中比較高的功率輸出能力，可更好匹配LED燈應(yīng)用場(chǎng)景。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)的導(dǎo)通電阻（RDS(on))不超過(guò)8.5mΩ。低導(dǎo)通電阻不僅降低了器件在動(dòng)態(tài)狀態(tài)下的自身功耗，還提高了整體電路的能效，使得控制模塊的換效率更高，而且在LED大電流環(huán)境中能有效降低自身溫?zé)幔行ПＷC了網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性。
熱管理性能：CMD3090L MOSFET的熱阻值是指，器件在電路網(wǎng)絡(luò)中芯片管心到塑封外殼的溫度隨輸出功率的變化情況，結(jié)到管殼的熱阻值僅有0.75℃/W。所以在LED大電流、高功率的應(yīng)用環(huán)境中選型時(shí)控制這項(xiàng)參數(shù)非常有意義。是保障MOSFET安全穩(wěn)定運(yùn)行的又一指標(biāo)。
功耗與開(kāi)關(guān)性能：CMD3090LMOSFET 在正常環(huán)境中使用最大功率85W，而且Td(on)=8nS ，Td(off)=20nS在內(nèi)耗非常低的同時(shí)和保證了高頻開(kāi)關(guān)速度，穩(wěn)定可靠的實(shí)現(xiàn)了LED高頻調(diào)光。
低電壓控制：CMD3090L MOSFET閾值電壓（VGS(th)）不超過(guò)2V，使得驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，單片機(jī)就可以勝任。低驅(qū)動(dòng)電壓，使得控制模塊集成性更小而輕。此外，IDM=360A，意味著該MOS管可以及時(shí)在串接較長(zhǎng)燈帶的條件下，開(kāi)、關(guān)瞬間可承受的主高能量脈沖，進(jìn)一步提升了其在苛刻應(yīng)用環(huán)境中的耐用性和可靠性。
以上是一款CMOS CMD3090L MOSFET低壓產(chǎn)品，用在LED燈控制網(wǎng)路中，表現(xiàn)出優(yōu)異性能，當(dāng)然，CMD3090L MOSFET的用途不僅限于此，相信還有更廣闊的應(yīng)用環(huán)境，等待各位開(kāi)發(fā)。還有一款較大過(guò)載能力的CMP90N68K 70V的產(chǎn)品，同樣在LED控制領(lǐng)域性能卓著，很受市場(chǎng)認(rèn)可，如需詳細(xì)了解該料參數(shù)，請(qǐng)注冊(cè)和登錄廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)：m.habboqueen.com
