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預估2022年DRAM產值達915億美元，下半年起可望扭轉跌價態勢
來源:集邦咨詢
TrendForce集邦咨詢以明年各季度的供過于求比例（以下稱：sufficiencyratio）作為預測基礎，預期DRAM平均銷售單價將年減15%，而價格下滑幅度在上半年較為明顯；下半年起將受惠于DDR5的滲透率提升與旺季需求效應帶動，均價跌幅將收斂，不排除有持平或漲價的可能性。
高層數產品競爭者眾，NANDFlash明年產值再增7.4%
NANDFlash方面，2022年供給位元年增長率約31.8%；而需求位元年成長幅度為30.8%，故明年NANDFlash價格也將受供過于求影響而有所下滑。此外，由于NANDFlash屬完全競爭市場，均價下滑的幅度較DRAM更加明顯，然NANDFlash在層數結構的堆棧持續推進，故在供給位元成長仍維持在30%以上的情況下，預估2022年NANDFlash總產值仍有成長空間，達741.9億美元、年增7.4%。
同樣以明年各季度的sufficiencyratio作為預測基礎，推估2022年平均銷售單價將年減18.0%，而價格下滑幅度也是在上半年度較為明顯，下半年起將受惠于旺季需求效應帶動，均價跌幅較為收斂，或有單季價格持平的可能性。
整體而言，DRAM與NANDFlash歷年的總產值變化，由于兩者競爭型態的不同，DRAM基本上在產能擴張上較有規律，故長期均價的波動性較小，同時20nm以下制程微縮已經逐漸達到物理極限，使得年度位元成長增幅有限；而NANDFlash在產能擴張的規劃則較不穩定，再加上產品的層數仍能持續提升，故長期均價的波動性較大，進而呈現DRAM產值成長幅度不及NANDFlash的態勢，但獲利表現方面則反之。
資本支出持續拉高，產值若無法跟進成長，恐壓抑廠商獲利能力
從資本支出來看，DRAM方面，近年來其整體資本支出對營收占比（以下稱：CAPEXtosalesratio）逐漸升高有兩大原因，首先，由于DRAM的制程微縮已經逐漸面臨物理極限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1αnm仍造就有近30%的單晶圓位元成長外，其他從1Xnm轉至1Ynm、或者1Ynm轉至1Znm制程，成長已經收斂至15%以內。2022年三星（Samsung）與SK海力士（SKhynix）的最先進制程將正式導入關鍵機臺EUV，而該機臺的生產交期長且造價高昂，使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出，以因應EUV的前置訂單。
其次，由于DRAM已形成寡占市場型態，即便偶爾出現均價下跌周期，也因為供應商的生產秩序形成，銷售均價難以跌破總生產成本（fullyloadedcost），故DRAM原廠能夠逐漸累積來自該產品的生產獲利。由于制程轉進不易，除三大原廠以外，市占較小的南亞科（NanyaTech）、華邦（Winbond）等廠商皆有實際擴產計劃，成為DRAM市場CAPEXtosalesratio持續升高的另一大原因。
NANDFlash方面，其CAPEXtosalesratio自2017年轉進3DNAND技術以來即有顯著提升，該年之前平均達25~30%，目前提升到平均近40%。主因是隨著3D堆棧層數的上升，除了拉長產品生產所需時間，對于蝕刻難度、精準度的要求也一并提升，主流層數正朝向1YY層世代邁進，供應商同時開始研發2XX層產品技術，對于單次蝕刻深度的要求不斷增加，顯示出該產業所需的資本支出總額隨著層數提升、產值增加而持續成長。
TrendForce集邦咨詢表示，由于NANDFlash堆棧層數的技術推進，未來供應商仍將持續追求推進更高層數，以降低每GB的生產成本。因此，預期該產業的資本支出仍有增長空間，且CAPEXtosalesratio將維持在接近40%或以上。值得注意的是，若未來數年產值無法跟進支出的成長速度，恐將造成CAPEXtosalesratio過度上升，進而壓抑供應商獲利能力。
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