存儲芯片價格逐漸回暖，并保持增長趨勢

作者：許子皓來源：中國電子報、電子信息產業網

   全球存儲芯片產能產值逐漸恢復增長，三大領軍企業的財報體現了這一點。

   7月29日，三星電子公布了今年第二季度財報。根據財報，三星電子第二季度營收63.67萬億韓元 (約合3572.5億元)，創有史以來第二季度收入最高；凈利潤達9.45萬億韓元 (約合530.2億元)。三星表示，本次收入的大幅提升，主要是因為內存芯片（DRAM和NAND）的出貨量和價格增幅均超出預期。

  7月27日，SK海力士發布第二季度財報，其第二季度收入為10.322萬億韓元(約合579.2億元)，凈利潤為1.988萬億韓元(約合111.5億元)，凈利潤率為19%。SK海力士表示，從今年初開始，PC、圖像處理、消費級存儲器需求大幅增加，服務器用存儲器需求也得到恢復，從而帶動了業績的改善。這是繼2018年第三季度之后，時隔3年再次出現的佳績。并預期，今年下半年的需求也將持續增加，并隨著進入旺季，存儲器市場的良好趨勢將持續下去。

  7月1日，美光科技發布截至6月3日的第三財季報告，營收74.22億美元(約合479.5億元)，毛利潤為31.26億美元(約合202億元)，毛利率為42.1%。美光科技總裁兼首席執行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)表示DRAM和NAND的價格上漲和客戶的需求推動了收入增長。DRAM 第三財季收入為54億美元，占總收入的73%。NAND 第三財季收入為18億美元，占總收入的24%，創下公司歷史新高，并預計，隨著全球經濟復蘇， DRAM和NAND的供應將在2022年繼續緊張。雖然新冠肺炎疫情仍然是一個風險因素，但受宏觀經濟復蘇以及AI和5G等長期驅動因素的推動，2021年正成為半導體企業強勁增長的一年。由此看出存儲芯片市場在經歷上一年的價格波動之后，正在逐漸回暖，重回發展快車道。

  壟斷是存儲芯片價格波動大的原因之一

  2019年，受全球缺芯潮、新冠肺炎疫情以及季節性需求等因素的影響，存儲芯片價格出現持續波動，給各大存儲芯片廠商帶來了沖擊。據世界半導體貿易統計組織（WSTS）統計，2019年全球存儲芯片的市場規模為1064億美元，相比2018年減少了516億美元，而2020年回升到1175億美元，增長了111億美元，出現穩定上升勢頭。同時，WSTS預計2021年全球半導體產值將達5272億美元，同比增長19.7%；其中，存儲器產值同比增長 31.7%，增幅將居首位；2022年全球半導體產值可望進一步達 5734億美元，同比增長8.8%；其中，存儲器產值將成長17.4%，增幅仍將高居第一。這說明，存儲芯片成為全球半導體產業持續發展的主要推動力，并始終保持超高成長性。

  對于存儲芯片的價格波動問題，賽迪顧問集成電路產業研究中心研究員楊俊剛表示，存儲芯片產品價格具有周期性，存儲芯片的產品價格主要和市場需求、產品存量、產品更新迭代有一定的關系。近期，全球芯片整體處于缺貨狀態，雖然存儲芯片屬于通用型產品，但是也受到了全球芯片缺貨的影響，導致存儲芯片價格有一定的波動。

  創道投資咨詢總經理步日欣向《中國電子報》記者指出，存儲芯片價格向來是半導體領域價格波動較為明顯的品類，主要原因就是整個市場格局處在壟斷狀態，幾大巨頭很容易就價格上漲達成默契。

  中國存儲芯片參與全球競爭還需時日

  我國是存儲芯片需求量最高的國家，據賽迪顧問的數據，2020年中國存儲器市場規模約為4266億元，按WSTS 預計的2020年全球存儲器市場規模基數(約合7593.9億元)估算，中國市場約占全球整體規模的56%。預計未來中國存儲芯片市場需求還將繼續保持穩定增長的態勢。

  楊俊剛指出，我國在存儲芯片領域也已取得了不俗的成績，合肥長鑫量產了國內首款19nm DDR4內存芯片；長江存儲完成了64層3D NAND Flash的量產，并且完成了128層3D NAND Flash產品的研發，已經通過客戶驗證階段；兆易創新Nor Flash的市場份額已經進入全球前三；聚辰半導體的EEPROM的市場份額也已經進入全球前三。

  聯蕓科技執行副總裁李國陽向《中國電子報》記者表示：“目前在存儲芯片領域，我國實現了DDR3/4 DRAM及64/128層3D NAND閃存顆粒技術突破，并初步實現規模量產和產能釋放，這是我國在存儲芯片領域零的突破和標志性成就。基于當前的技術突破和產能持續釋放，以及良品率和可靠性的不斷提升，相信再經過5年的發展，我國將有可能真正成為全球存儲芯片重要的參與者和貢獻者。”

  不過，目前我國存儲產業與國外存儲廠商仍存在較大差距。楊俊剛解釋道，我國屬于剛入局者，在技術水平、研發能力、產品種類、產品迭代速度、資金實力、知識產權、市場份額等方面和全球先進廠商有一定的差距。目前我國在中低端存儲芯片的技術水平已經慢慢后來居上。

  而步日欣向《中國電子報》記者指出，對于存儲芯片，我們的挑戰不僅存在于資本投入、技術攻關，還存在于市場生態的建立，下一步要打通整個產業鏈條的環節，讓國產存儲芯片找到用武之地，逐步利用本土優勢，循序漸進地搶占市場。“存儲芯片行業知識產權壁壘較高，具有高技術門檻的特性，而且一般采用IDM模式，需要大額的資本投入，才有可能實現突破。基于這一行業特性，要有效推動存儲芯片發展，在依靠市場化手段的同時，更需要政策引導，統籌推動國產芯片的應用場景落地、技術更新和迭代。”